Wzrost wyspy

Wzrost wyspy jest fizycznym modelem wzrostu osadzonej warstwy i chemicznego osadzania z fazy gazowej .

Wstęp

Kiedy atomy osadzają się powoli na płaskiej powierzchni , pierwszy z nich przechodzi losowy spacer po tej powierzchni. W końcu osadza się drugi atom; najprawdopodobniej w końcu spotka się z pierwszym atomem. Gdy dwa atomy się spotkają, mogą się związać, tworząc cząstkę o większej masie i niższej prędkości błądzenia losowego. Ponieważ związane cząstki są teraz bardziej stabilne i mniej ruchliwe niż wcześniej, nazywane są „wyspami”. Kolejne atomy osadzane na podłożu ostatecznie spotykają się i wiążą z wyspą, jeszcze bardziej zwiększając jej rozmiar i stabilność. W końcu wyspa może urosnąć, aby wypełnić całe podłoże pojedynczym dużym ziarnem.

Im szybciej atomy są osadzane, tym większa ilość atomów na podłożu, zanim utworzą się jakiekolwiek duże stabilne wyspy. Gdy te atomy się spotkają, zwiążą się z lokalnymi sąsiadami, zanim będą miały szansę na migrację na odległą wyspę. W ten sposób powstaje duża liczba oddzielnych wysp, które mogą rosnąć niezależnie. W końcu oddzielne wyspy urosną, by stać się oddzielnymi ziarnami w końcowym filmie.

Model wzrostu wysp jest używany do wyjaśnienia, w jaki sposób szybkie techniki osadzania (takie jak osadzanie przez napylanie katodowe ) mogą wytwarzać filmy z wieloma losowo zorientowanymi ziarnami, podczas gdy techniki powolnego osadzania (takie jak MBE ) mają tendencję do wytwarzania większych ziaren o bardziej jednolitej strukturze.

Zobacz też

Wzrost Stranskiego-Krastanova