Proces 3 µm

Proces 3 μm to poziom technologii przetwarzania półprzewodników MOSFET , który został osiągnięty około 1977 r. przez wiodące firmy produkujące półprzewodniki, takie jak Intel .

Produkty z procesem produkcyjnym 3 μm

Procesory Intel 8085 , 8086, 8088 wprowadzone na rynek odpowiednio w 1976, 1978 i 1979 roku zostały wyprodukowane przy użyciu procesu 3,2 μm NMOS ( HMOS ). ^{[ nieudana weryfikacja ]} . ^{[ wątpliwe – dyskutuj ]}
4 kbitowy układ pamięci SRAM HM6147 firmy Hitachi , wprowadzony na rynek w 1978 r., Wprowadził dwudołkowy proces CMOS przy 3 μm.
Motorola 68000 (MC68000), wprowadzony na rynek w 1979 roku, został pierwotnie wyprodukowany przy użyciu procesu HMOS z rozmiarem elementu 3,5 μm. ^{[ okólnik ]}
ARM1 został wprowadzony na rynek w 1985 roku i wyprodukowany w procesie 3 μm.

Poprzedzony procesem 6 μm	Proces wytwarzania urządzeń półprzewodnikowych MOSFET	Zastąpił proces 1,5 μm

Produkcja urządzeń półprzewodnikowych

Skalowanie MOSFET ( węzły procesowe )
0 10 µm – 1971 00 6 µm – 1974 00 3 µm – 1977 1,5 µm – 1981 r 00 1 µm – 1984 800 nm – 1987 r 600 nm – 1990 r 350 nm – 1993 r 250 nm – 1996 r 180 nm – 1999 r 130 nm – 2001 r 0 90 nm – 2003 r 0 65 nm – 2005 r 0 45 nm – 2007 r 0 32nm – 2009r 0 22 nm – 2012 r 0 14 nm – 2014 r 0 10 nm – 2016 r 00 7 nm – 2018 00 5 nm – 2020 00 3 nm – 2022
Przyszłość 00 2 nm ~ 2024
Półwęzły Gęstość CMOS Urządzenie ( wielobramkowe ) Prawo Moore'a Liczba tranzystorów półprzewodnikowy Przemysł Nanoelektronika